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胡正名,3D晶体管之父,获得了IEEE的最高荣誉。他是台积电的前首席技术官。

发布时间:2020-06-17 11:23:13

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IEEE的最高荣誉已经公布,中国科学家也获得了年度最佳奖。

最近,国际电子和电气工程研究所(IEEE)宣布2020年

IEEE荣誉勋章

优胜者,中国学者

胡正名

他是历史上第三位获此殊荣的中国学者。

胡正名在1999年开发了它。

FinFET

因此,这项发明被称为3D晶体管之父,被认为是50多年来半导体技术的一次重大转变。

当晶体管的尺寸小于25nm时,传统的平面场效应晶体管的尺寸不能再减小。随着FET的出现,三维场效应晶体管可以进一步增加晶体管的密度,从而保持摩尔定律。

FinFET是现代纳米电子半导体器件制造的基础。现在7nm芯片采用FinFET设计。

关于IEEE荣誉勋章

IEEE荣誉奖章成立于1917年,每年只授予一人。它是国际电子和电气工程学会的最高荣誉,也是世界电气和电子工程界的最高荣誉。

历史上获奖的名人,以及晶体管的发明者,

普丁

也是信息论的创始人。

香农

.

贝尔实验室前研发主任,只有两位中国人在此之前获得过这枚奖牌。

A.Y.Cho

(1994),台积电前主席

张忠谋

(2011年)。

今年的奖项将于5月15日在温哥华举行的IEEE愿景、创新和挑战峰会上举行。

胡正明简介

一九四七年出生于北京,一九六八年移居台湾,毕业于台湾大学电气工程系,一九七三年赴美留学,并获加州大学伯克利分校博士学位。

自1976年以来,他一直是加州大学伯克利分校(UniversityofCalifornia,Berkley)的电气工程和计算机科学教授。他还加入了该行业,担任半导体制造商安巴(Anba)的董事会成员,并于2001年至2004年担任首席技术官(CTO)。

在学术上,胡正名写了五本书,发表了900篇研究论文,并拥有100多项美国专利。

胡正名是中国工程院荣誉教授、中国科学院外国院士、中国科学院微电子研究所、清华大学荣誉教授。

胡正名曾多次获得IEEE荣誉奖,2016年被选为硅谷名人堂,当年被美国总统巴拉克·奥巴马授予白宫国家技术创新奖。

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